اصطلاحات هارد های امروزی

امروزه هارد دیسک‌ها و درایوهای حالت جامد بزرگ‌تر و سریع‌تر می‌شوند، زیرا حجم فایل بزرگ‌تر و بزرگ‌تر شده است یا کاربران فایل‌های بیشتری برای ذخیره دارند، مانند عکس، فیلم، بازی و غیره. بنابراین، هارد دیسک با یک ظرفیت بزرگتر محبوب تر می شود. وقتی صحبت از ظرفیت بزرگتر هارد دیسک به میان می آید، حافظه فلش یک عامل اساسی خواهد بود. SSD های فعلی از حافظه فلش NAND استفاده می کنند که بلوک های سازنده آن سلول حافظه است. واحدهای پایه ای وجود دارند که داده ها در یک SSD روی آنها نوشته می شود و هر سلول حافظه مقادیر مشخصی بیت را می پذیرد. رایج ترین آنها عبارتند از SLC، MLC، TLC و QLC. علاوه بر این، در قسمت زیر به شما نشان خواهیم داد که QLC و TLC چیست و چه تفاوت هایی با QLC و TLC دارند

TLC که نام کامل آن سلول سطح سه‌گانه است، سه بیت اطلاعات را در هر سلول ذخیره می‌کند. علاوه بر این، TLC رایج ترین نوع SSD است. QLC، که نام کامل آن سلول چهار سطحی است، چهار بیت اطلاعات را در هر سلول ذخیره می کند، به دنبال قراردادی که توسط TLC تنظیم شده است. QLC قبل از اختراع خود به سلول هایی اطلاق می شود که می توانند شانزده حالت ولتاژ داشته باشند

با این حال، چه تفاوت هایی بین QLC و TLC وجود دارد یا کدام یک برای برنامه ذخیره سازی شما بهتر است؟

بنابراین، در بخش بعدی، تفاوت های QLC در مقابل TLC را به شما نشان خواهیم داد.  ممکن است فکر کنید که QLC با چهار بیت در هر سلول می تواند جایگزین TLC شود که با سه بیت در هر سلول است. با این حال، فناوری TLC از نظر دوام و عملکرد برای ایجاد نقش برای هر دو نوع NAND بهبود یافته است

قبل از ذکر تفاوت های TLC در مقابل QLC، باید بدانید که فلش NAND چگونه بر عملکرد، استقامت و تراکم تأثیر می گذارد

NAND =(در الکترونیک دیجیتال، یک گیت NAND (NOT-AND) یک گیت منطقی است که تنها در صورتی که تمام ورودی های آن درست باشد، خروجی نادرست تولید می کند. بنابراین خروجی آن مکمل خروجی یک گیت AND است.)ناند رایج ترین نوع فلش مموری است. در انواع مختلفی از دستگاه‌های ذخیره‌سازی از جمله SSD، درایوهای فلش USB و کارت‌های SD استفاده می‌شود. حافظه NAND غیر فرار است

3D QLC NAND چیست؟

در گذشته، سلول ها در کنار هم روی یک بستر سیلیکونی چیده می شدند. اما بعداً توانستند چگالی را افزایش داده تا تعداد بیشتری از آنها را روی یک سطح مسطح قرار دهند. با این حال، مقیاس بندی در امتداد محور x و y دشوار بود، تولید کنندگان شروع به سازماندهی سلول ها به صورت عمودی، سه بعدی در امتداد محور z کردند. در مقایسه با 2D NAND، 3D چگالی بالاتری دارد و همچنین می توان آن را بارها نوشت و پاک کرد. اگر فلاش با ارتفاع 64 لایه تعبیه شده باشد، NAND 3D 64  تراکم سلولی حافظه مسطح را فعال می کند. بنابراین، داده های بیشتری ذخیره می شود و SSD با NAND 3D حجم ذخیره سازی بزرگ تری را ارائه می دهد.

3D TLC NAND چیست؟

همانطور که در قسمت بالا اشاره کردیم، QLC NAND  ب 4 بیت اطلاعات را در هر سلول ذخیره می کند و دارای 16 حالت ولتاژ است، اما TLC NAND سه بیت اطلاعات را ذخیره می کند و فقط 8 بیت را ردیابی می کند. در مقایسه با QLC NAND، TLC باید تعداد بیشتری از چرخه های برنامه/پاک کردن را به دلیل بیت های کمتری که در هر سلول نوشته شده تحمل کند. از سوی دیگر، همانطور که برای QLC VA TLC، فلش TLC سریعتر از QLC است. به نظر می رسد که تمایز بین دو برابر حالت های شارژ باعث می شود که QLC نسبت به فلاش TLC مستعد خطا باشد. اگرچه هر دو فناوری از الگوریتم‌های کد تصحیح کننده خطا برای حفظ یکپارچگی داده‌های شما استفاده می‌کنند، این فرآیند تعداد بیشتری از چرخه‌های پردازش را در درایوهای مبتنی بر QLC مصرف می‌کند و عملکرد نوشتن را  سخت می‌کند. پس هر کدام خواص خود را دارند بنابراین سرعت خواندن متوالی QLC NAND SSD به اندازه TLC SSD سریع است، بنابراین برای بارهای سنگین خواندن عالی است. با این حال، در مورد عملکرد نوشتن 3D NAND در مقابل TLC، SSD TLC بهتر از SSD QLC است.

مدیریت متن: جنگل کالا